内存
- CL (CAS Latency) —— 列地址选通脉冲潜伏期 这是最常用的指标。它表示内存控制器告诉内存“我要读这一行数据”到“第一组数据开始输出”之间经过的时钟周期数。 注意：CL 是周期数，不是绝对时间。相同 CL 下，频率越高，每个周期的时间越短，延迟越低。
- 绝对延迟 (True Latency) —— 纳秒 (ns) 这是衡量内存快慢最直观的“物理时间”。它综合了频率和 CL 值，计算公式如下： 绝对延迟 (ns) = (CL × 2000) / 内存频率 (MHz) 实例：DDR4-3200 CL16 的绝对延迟是
。 评价标准：通常 10ns 左右是高性能基准，数值越小越快。 3. 内存存取延迟 (Access Latency) 这是系统层面的综合指标，通常使用 AIDA64 等工具测得。 它不仅包含内存颗粒本身的延迟，还包括 CPU 内存控制器、主板走线以及二级/三级缓存带来的损耗。 典型值：高性能 PC 通常在 60-80ns；而像 RK3688 这种采用 LPDDR 的嵌入式设备，由于内存直接焊接且路径极短，其存取延迟表现往往非常优秀。 4. tRCD / tRP / tRAS (时序参数) 在内存参数表（如 16-18-18-38）中，除了第一个数字 CL，后面的三个也代表延迟： tRCD：行寻址到列寻址的延迟。 tRP：行预充电时间（关闭当前行打开新行的时间）。 tRAS：行激活到预充电的最小等待时间。